Jdi na obsah Jdi na menu
 


Zenerova dioda

  • omezovací dioda využívaná v oblasti strmého nárůstu proudu v závěrném směru
  • charakteristika v přímém směru je shodná s charakteristikou běžné polovodičové diody
  • prahové napětí je 0,70 až 0,72 V
  • Zlom ve VA charakteristice se vysvětluje tím, že na tenký PN přechod je přiloženo silné elektrické pole. Při dosažení intenzity pole  1.106 V.cm-1 dojde u křemíku k uvolňování (emisi) nosičů I a přechod PN se stane vodivým. Tento jev, objevený v r. 1934  Zenerem, se označuje jako Zenerův jev.Obrazek
  • Zenerovo napětí závisí na měrném odporu výchozího materiálu.
  • Jmenovité hodnoty průrazného napětí jsou odstupňovány tak, že rovnoměrně pokrývají rozsah nětětí od 3 V do několika set V a závisí na dalších vlivech, především na teplotě.
  • Zenerův jev se uplatňuje pouze na velmi tenkých přechodech, příslušné napětí diod je do 6 V.  Diody, které potřebují k dasažení zlomu napětí od 50 V výše, nevykazují Zenerův jev (tloušťka PN přechodu je již příliš velká) a dochází k lavinové ionizaci. Při napětích od 6 V do 50 V se uplatňují oba uvedené jevy.
  • Zenerovo napětí je závislé na tloušťce PN přechodu (čím je tloušťka přechodu větší, tím větší U potřebujeme). Zpočátku tedy Zenerovo napětí s tloušťkou PN přechodu roste. Při dalším zvětšování tloušťky přechodu a tedy i při zvětšování U, potřebného k dosažení Zenerova napětí,se elektrony procházející přechodem elektrickým polem urychlí natolik, že vznikne interakce s vázanými nosiči proudu. Ty se srážkami uvolní a opět se elektrickým polem urychlí. Nastane lavinové uvolňování elektronů a děr.Vliv lavinového jevu na zlom VA charakteristiky v závěrném směru je podobný jako u jevu Zenerova.
  • Pracovní oblast leží v oblasti elektrického nedestruktivníého průrazu, nesmí však překročit maximální ztrátový výkon Pz, jinak by došlo k nevratným změnám (destruktivní průraz).                                                                        

 Použití :

  • ke stabilizaci a omezení stejnosměrných napětí

  • při spojování stupňů tranzistorových zesilovačů

  • ochraně tranzistorů při induktivní zátži

  • ochrana před přetížením

    Obrazek 

Obrazek

Obrazek